除了從系統(tǒng)角度強(qiáng)化散熱性能外，隨著LED照明的應(yīng)用普及，對(duì)于散熱基板的要求日趨嚴(yán)苛，LED基板材料及技術(shù)在近年的開發(fā)也有所進(jìn)展，目前最新的趨勢(shì)是對(duì)于硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)的研發(fā)。基本上，由于藍(lán)寶石基板面臨技術(shù)瓶頸，LED廠商正積極尋找新的基板材料，而硅基氮化鎵可減少熱膨脹差異系數(shù)，不僅能強(qiáng)化LED發(fā)光強(qiáng)度，更可以大幅降低制造成本、提高散熱表現(xiàn)，因此成為了業(yè)界爭(zhēng)相發(fā)展的新技術(shù)。

        例如普瑞光電(Bridgelux)與東芝(Toshiba)合作開發(fā)出硅基氮化鎵白光LED，并在去年十月在日本加賀市(Kaga)的8英寸晶圓廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。東芝與普瑞光電是自2012年1月起開始合作，結(jié)合普瑞的長(zhǎng)晶和LED芯片結(jié)構(gòu)，以及東芝先進(jìn)的硅制造工藝，雙方成功開發(fā)出最大光輸出達(dá)到614毫瓦的LED芯片，尺寸僅1.1平方毫米，最大光輸出量達(dá)到614毫瓦。東芝企業(yè)副總裁暨半導(dǎo)體和儲(chǔ)存產(chǎn)品子公司執(zhí)行副總裁MakotoHideshima表示，在東芝與普瑞光電的緊密合作下，8英寸硅基氮化鎵LED已達(dá)到最佳效能。

        此外，中國(guó)大陸廠商晶能光電(江西)有限公司也已量產(chǎn)硅基氮化鎵LED芯片，其操作電流為350毫安，發(fā)光效率已達(dá)每瓦120流明，主要鎖定室內(nèi)外和便攜式照明應(yīng)用，并已有二十多家客戶開始導(dǎo)入設(shè)計(jì)，該公司將于這一年由6英寸晶圓導(dǎo)入8英寸晶圓制造。另?yè)?jù)悉，歐司朗光電半導(dǎo)體、飛利浦照明、韓國(guó)三星集團(tuán)等都已積極投入到硅基氮化鎵LED的開發(fā)生產(chǎn)中。